Row Precharge Delay (tRP)3. Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Количество ранков1,
Напряжение питания: 2.5 В.
Буферизованная (Registered)нет;
CAS Latency (CL): 3,
Объем - 1 модуль 512 Мб. Форм-фактор - DIMM 184-контактный, Тактовая частота - 433 МГц,